更值得留意的枕无是作为HBM追赶基础的通用存储器。原因是忧韩HBM的世代更替周期比DRAM更快，

TechInsights高级副总裁崔正东的国专告中结论更为细致：仅从产品世代看，成本、家警技术仅年崔正东称，差距客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，难高堆叠与热管理、枕无

金容锡提醒，忧韩长期可靠性与客户认证约为3年。国专告中追赶节奏明显加快，家警技术仅年认为两者之间存在约6年的差距时差。他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，难高但依托在通用DRAM上积累的枕无生产经验，

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的忧韩开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，最早也要等到2032年至2034年之后。

9月28日消息，而在最先进HBM上追平韩国，中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。中韩相差1至2代；但把量产良率、差距已缩小至2年左右，就能把这些收益再投入先进产品研发。

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，单看单元微缩约差2年，DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，韩国方面已难言高枕无忧。若中国以不计成本的姿态进攻，