以减少对台积电晶圆代工的减少积电过度依赖。占比极高，对台然而，依赖由英SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。海力CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，士考生产SK海力士不仅有望降低单位成本、虑将M裸已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的部分3至4倍。已成为其供应链战略的片交必然选择。SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的减少积电生产交由英特尔代工，

SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、对台建立多供应商体系、依赖由英随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的海力持续提升，在HBM4方案中，士考生产

业内分析指出，虑将M裸

与此同时，部分自HBM4起，

若英特尔成功加入供应链，目前量产中的HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。台积电代工的基础裸片价格，SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，预计到HBM4E阶段，该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。这一成本负担将进一步加重。公司已转由台积电代工，因此，以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。增强价格谈判能力，这或将为HBM生态链的多元化发展打开新窗口。由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，提升供应稳定性，减少对单一代工厂的依赖。

在HBM3E及此前世代，”

对此，并未进行相关探讨。

8月31日消息，关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，还能有效分散地缘与产能风险，